Propriedades Ópticas de Semicondutores Bidimensionais Dopados –  Prof. Leandro Malard – UFMG

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Data / Hora
Date(s) - 15/05/2025
17:00 - 18:00

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COLÓQUIO DO DEPARTAMENTO DE FÍSICA

Propriedades Ópticas de Semicondutores Bidimensionais Dopados

 Prof. Leandro Malard – Departamento de Física – Universidade Federal de Minas Gerais

15 de maio – 5ª. Feira – 17h – sala 776L

 Nesta apresentação iremos mostrar como diferentes técnicas de espectroscopia óptica linear e não-linear podem ser usadas para obtermos informações sobre como os materiais bidimensionais são afetados na presença de dopantes. Em particular iremos mostrar resultados de nosso grupo nos últimos anos em amostras de WS2 dopadas com diferentes concentrações de Vanádio que substitui o Tungstênio durante o crescimento dessas amostras. Através da utilização de espectroscopias ópticas linear (fotoluminescência e Raman) e não linear (geração de segundo harmônico) pudemos mostrar a presença de novos estados no meio do gap e como isso impacta a emissão de luz destes materiais [1]. Além disso ao realizar medidas de magneto-fotoluminescência nessas amostras observamos um efeito Zeeman gigante para estes novos estados eletrônicos [2]. Por mim realizamos medidas de mistura de quatro ondas para mostrar que a distribuição destes dopantes nas amostras não ocorre de maneira homonogênea [3].

[1]Effects of Vanadium Doping on the Optical Response and Electronic Structure of WS2 Monolayers FB Sousa, B Zheng, M Liu, GC Resende, D Zhou, MA Pimenta et al., Advanced Optical Materials 12 (19), 2400235

[2] Giant Valley Zeeman Splitting in Vanadium‐Doped WSe2 Monolayers FB Sousa, MJS Matos, BR Carvalho, M Liu, A Ames, D Zhou et al., Small 20 (51), 2405434

[3] Felipe Menescal et al., in preparation (2025).